Теоретическое исследование тонких пленок карбида кремния
Их структура и свойства
978-3-659-13610-8
3659136107
68
2012-06-22
49.00 €
rus
https://images.our-assets.com/cover/230x230/9783659136108.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/230x230/9783659136108.jpg
https://images.our-assets.com/cover/2000x/9783659136108.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/2000x/9783659136108.jpg
Карбид кремния представляет собой перспективный материал, широко применяемый в полупроводниковой технике. Он обладает рядом уникальных свойств,что может позволить улучшить практически все характеристики приборов силовой и цифровой электроники, созданных на его основе.Развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Получение качественных малодефектных кристаллов SiC определенного политипа сопряжено с рядом трудностей, и одна из них – эффективная система управления процессом роста кристалла. Основная идея данной работы заключалась в изучении структуры, свойств и возможности получения графеноподобного 2D SiC. Было изучено влияние числа слоев на возможность перехода из одной модификации карбида кремния в другую. Были изучены системы 2D SiC на пластинках Mg (0001) и Zr (0001), как на потенциальных материалах для подложек при выращивании монослоя, а также исследовано поведение дефектов в монослое SiС и их влияние на физические свойства материала.
https://www.morebooks.shop/books/gb/published_by/lap-lambert-academic-publishing/47/products
Physical chemistry
https://www.morebooks.shop/store/gb/book/%D1%82%D0%B5%D0%BE%D1%80%D0%B5%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5-%D0%B8%D1%81%D1%81%D0%BB%D0%B5%D0%B4%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5-%D1%82%D0%BE%D0%BD%D0%BA%D0%B8%D1%85-%D0%BF%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%BA-%D0%BA%D0%B0%D1%80%D0%B1%D0%B8%D0%B4%D0%B0-%D0%BA%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D1%8F/isbn/978-3-659-13610-8