Buchcover von Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen
Buchtitel:

Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen

Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs

VDM Verlag Dr. Müller (13.03.2011 )

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ISBN-13:

978-3-639-34028-0

ISBN-10:
3639340280
EAN:
9783639340280
Buchsprache:
Deutsch
Klappentext:
GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben.
Verlag:
VDM Verlag Dr. Müller
Webseite:
http://www.vdm-verlag.de
von (Autor):
Thomas Wunderer
Seitenanzahl:
100
Veröffentlicht am:
13.03.2011
Lagerbestand:
Lieferbar
Kategorie:
Elektrizität, Magnetismus, Optik
Preis:
49,00 €
Stichworte:
LED, Halbleiter, GaN, Optik, semipolar, InGaN, Leuchtdiode, piezoelektrisches Feld

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